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五島 敬史郎 (ゴシマ ケイシロウ,GOSHIMA Keishiro)

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論文
No.タイトル, 著者, 誌名, 巻( 号), 開始ページ- 終了ページ, 出版年月, ID:DOI, URL 
1
Structural Optimization of Silicon for High Efficiencies of Light Emission, Yuma Sugishita Keisuke Inukai Keishiro Goshima, Wiley,, 10.( 1002/ecj), 12091- , 2018年06月, ,  
2
Inter-dot spacing dependence of electronic structure and properties in multi-stacked InGaAs quantum dots fabricated without strain compensation techniques, Keishiro Goshima, Norio Tsuda, Keisuke Inukai, Takeru Amano and Takeyoshi Sugaya, Japanese Journal of Applied Physics,, 57( 06HE08), 1- 4, 2018年04月, ,  
3
シリコン高効率発光に向けた構造条件の検討, 杉下裕磨、犬飼圭祐、五島敬史郎, IEEJ , Vol.138( No.4), 375- 380, 2018年04月, ,  
4
歪補償を用いないInGaAs/GaAs近接接合量子ドットの光学的手法を用いた中間バンド状態の解析, 犬飼圭祐、梅田大河、佐藤渉、津田紀生、菅谷武芳、五島敬史郎, 光物性研究会, 研究報告 Ⅱ( B-84), 339- 343, 2017年12月, ,  
5
シリコン発光増強を目的としたデバイス構造の検討, 杉下裕磨、犬飼圭祐、五島敬史郎, 電子情報通信学会, Vol.117( No.268), 17- 23, 2017年10月, ,  
6
Pilaf プロセッサを実装した8bitSoCのLSIテスタを用いた動作解析, 増淵友一,吉田宗史(愛知工業大学),弘中哲夫(広島市立大学),五島敬史朗(愛知工業大学), 電子回路研究会報告 , ETC-17( 115), 31- 35, 2017年10月, ,  
7
半導体レーザの自己結合効果を利用したレーザマイクロホンの超音波帯域特性, 水嶋大輔,吉松剛,山口剛,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, IEEJ, 137( 3), 489- 494, 2017年03月, ,  
8
半導体レーザの自己結合効果を利用したレーザマイクロホンによる音波検出, 水嶋大輔,吉松剛,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems (2016) 136(7), 印刷中, ,   , 2016年07月, ,  
9
シリコン材料を発光源とした光通信回路の開発, 杉下裕磨、犬飼圭祐、五島敬史郎, 電子回路研究会報告 , ETC-16( 74), 31- 35, 2016年03月, ,  
10
Nanophotonic devices based on semiconductor quantum nanostructures, Kazuhiro KOMORI, Takeyoshi SUGAYA, Takeru AMANO and Keishiro GOSHIMA, IEICE TRANS,ELECTRON,  VOL.E99-C.No3,pp346-357,(2016,3), ,   , 2016年03月, ,  
11
LSIテスター機を用いたデジタル集積回路の動作検証, 鈴木大晴、中野渡陽平、五島敬史郎, 江口一彦, 電気学会              電子回路研究会報告    ECT-15,pp070-075      (三重大学), ,   , 2015年10月, ,  
12
半導体レーザの端子間電圧変化を利用した自己結合型距離センサ, 吉松 剛、五島 敬史郎、津田 紀生、山田 諄, 電気学会論文誌C、Vol. 134, No. 12, Page 1796-1801 (2014.12), ,   , 2014年12月, ,  
13
半導体レーザの自己結合効果を利用した微小変位計測システム, 吉松 剛、五島 敬史郎、津田 紀生、山田 諄, 電気学会論文誌C、Vol. 134、No. 11, Page 1684-1689, ,   , 2014年11月, ,  
14
1.3-μm Quantum-Dot Distributed Feed Back Laser with Half-Etching Mesa Vertical Grating using Cl2 Dry Etching process, K.GoshimaT.TsudaJ.YamadaK.KomoriT.Amano, Japanese Journal of Applied Physics,52,pp. 06GE03(4 pages), (2013), ,   , 2013年06月, ,  
15
Investigation of the Confinement Potential within GaNAs/GaAs Multiple Quantum Wells, K.Goshima, A.Kittaka, N.Turumachi,S.Nakanishi, S.Koshiba,H.Itoh, Physica StatusSolidi (c),8,No.2,pp414-416, ,   , 2011年01月, ,  
16
uality diagnosis of silicon solar cell using LED spotlight irradiation method, K.Okamoto,N.Esaki,K.Goshima, Physica StatusSolidi (c),8,No.2,pp362-364, ,   , 2010年12月, ,  
17
1.3-μm DFB Laser with Half-Etching Mesa and High-Density Quantum Dots, K. Goshima, T. Amano, K. Akita, R. Akimoto, T. Sugaya, M. Mori and K. Komori, Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 48, No. 5, (2009)pp. 050203 (3 pages), ,   , 2009年05月, ,  
18
Formation and control of an entangled two-qubit exciton system in coupled quantum dots, K. Goshima, T. Sugaya, K. Komori and T. Takagahara, Physical Review B,Vol.79, No. 20, (2009)pp. 205313 (7 pages), ,   , 2009年05月, ,  
19
Development of high resolution Michelson interferometer for stable phase-locked ultra-short pulse generation, T. Okada, K. Komori,K. Goshima, S. Yamauchi,I. Morohashi, T. Sugaya,M. Ogura and N. Tsurumachi), Review of Scientific Instruments,Vol,79, No.10, (2008)pp. 103101(7 pages), ,   , 2008年10月, ,  
20
Optical Control of 2-Qubit Exciton States in a Coupled Quantum Dot, K. Goshima, K. Komori and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol 47,No. 4, (2008)PART 2 ,pp. 3111-3114, ,   , 2008年04月, ,  
21
Electric-Field Control of Coupled States in Weakly Coupled Quantum Dots, I. Morohashi,K. Komori, S. Yamauchi, K. Goshima, A. Shikanai and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 47,No. 4 (2008)PART 2,pp. 2884-288, ,   , 2008年04月, ,  
22
半導体量子ドットの励起子を用いた量子演算素子開発に関する研究, , 愛知工業大学(乙第16号), ,   , 2007年07月, ,  
23
Cascade optical excitation of an artificial exciton molecule in a coupled quantum dot, K. Goshima, T. Sugaya, K. Komori andT. Takagahara), Physica Status Solidi(c),Vol.5, No. 1, (2007)pp. 343- 346, ,   , 2007年04月, ,  
24
Exciton Rabi Oscillation in Single Pair of InAs/GaAs Coupled Quantum Dots, K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Morohashi and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 46, No. 4B, (2007)pp. 2626-2628, ,   , 2007年04月, ,  
25
Electronic structures in single pair of InAs/GaAs coupled quantum dots with various inter dot spacing, S, Yamauchi, K. Komori,I. Morohashi,K. Goshimaand T. Sugaya), Journal of Applied Physics,Vol. 99, No. 3, (2006)pp. 033522(7 pages), ,   , 2006年12月, ,  
26
Pulse Area Control of Exiciton Rabi Oscillation in InAs/GaAs Single Quantum Dot, K. Goshima, K. Komori,S. Yamauchi, I. Morohashi, A. Shikanai and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol.45, No.4B, (2006)pp. 3625-3628, ,   , 2006年04月, ,  
27
Observation of exciton molecule consisting of two different excitons in coupled quantum dots, K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Morohashi and T. Sugaya), Applied PhysicsLetter,Vol. 87,No.25, (2005)pp. 253110(3 pages), ,   , 2005年12月, ,  
28
Observation of interdot correlation in single pair of electromagnetically coupled quantum dots, S. Yamauchi, K. Komori, I. Morohashi,K. Goshima and T. Sugaya), Applied PhysicsLetter,Vol. 87,No.18, (2005)pp. 182103(3 pages), ,   , 2005年10月, ,  
29
Observation of Bonding States in Single Pair of Coupled Quantum Dots using Microspectroscopy, K. Goshima,K. Komori, S. Yamauchi, I. Morohashi, A. Shikanai and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 44,No. 4B, (2005)pp. 2684-2687, ,   , 2005年04月, ,  
30
Electronic Structures and Carrier Correlation in Single Pair of Coupled Quantum Dots, S, Yamauchi, K. Komori, I. Morohashi,K. Goshima and T. Sugaya), Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 44,No. 4B, (2005)pp. 2647-2652, ,   , 2005年04月, ,  
31
Coherent Control of Exciton in a Single Quantum Dot Using High-Resolution Michelson Interferometer, T. Okada,K. Komori,K. Goshima,S. Yamauchi, I. Morohashi,, Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 43,No. 9A,(2004)pp. 6093-6096, ,   , 2004年07月, ,  
32
Optical Characteristics of InAs/GaAs Double Quantum Dots Grown by MBE with the Indium-Flush Method, S. Yamauchi, K. Komori, T. Sugaya and K. Goshima,, Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 43,No. 4B, (2004)pp. 2083-2086, ,   , 2004年04月, ,  

 

MISC
No.タイトル, 著者, 誌名, 巻( 号), 開始ページ- 終了ページ, 出版年月, URL 
1
”半導体量子ドットを用いた量子情報素子への応用”, , 技術情報誌  TELECOM FRONTIER 、No.84 No.1 SUMMER (2014), ,   , 2014年08月,  
2
"超高速演算可能な2量子ビット演算素子", , 「半導体産業新聞」:, ,   , 2006年02月01日,  
3
産総研多ビット素子開発 光制御の量子計算機に道", , 「日経産業新聞」, ,   , 2006年01月18日,  
4
"超高速の量子計算機実現へ 産総研の多ビット化に成功, , 「フジ サンケイ ビジネスアイ」:, ,   , 2005年12月19日,  
5
"光制御型基本素子多ビット化可能に 産総研が量子計算機用開発", , 「日刊工業新聞」, ,   , 2005年12月19日,  
6
"量子コンピュータに向けた光制御型の基本素子構造の開発に成功", 渡辺、小森、五島, 産業技術総合研究所プレスリリース, ,   , 2005年12月16日,  

 

講演・口頭発表等
No.タイトル, 講演者, 会議名, 開催地, 開催年月日, 主催者 
1
Optical gain of multi stacked InGaAs quantum dots using VSL method, K.Goshima,N tsuda, K.inukai,and T.Sugaya, Advanced lasers and photon sources (ALPS2018) p-35, 神奈川県横浜市, 2018年04月, レーザ学会 
2
積層量子ドットのバリア層厚変化における光学利得計測, 五島 敬史郎,穂満 敬太,津田 紀生,鈴木 裕,天野 健, レーザ学会学術講演会    第38回年次大会 25aⅣ-5, 京都市, 2018年01月, レーザ学会 
3
歪補償を用いないInGaAs/GaAs近接接合量子ドットの光学的手法を用いた中間バンド状態の解析, 犬飼圭祐、梅田大河、佐藤渉、津田紀生、菅谷武芳、五島敬史郎, 光物性研究会  Ⅱ B-84, 京都市, 2017年12月, 日本物理学会 
4
”Coupling effect characteristic of InGaAs/GaAs multistacked quantum dots without strain balancing, K.Goshima,N tsuda, K.inukai,and T.Sugaya, internal microprocesses and nanotechnology, 9A-10-2 (2017), 韓国 済州, 2017年11月, 応用物理学会 
5
High Efficiency Light Emission using silicon P-I-N structure with alkali meal doping, W Niwa, R Kobayashi, Y Sugishita, and K, Goshima, Internal workshop on green energy system and devices,P-42 (2107), 愛知県豊田市, 2017年11月,  
6
Band formation in multi stacked InGaAs quantum dots with various inter-dot spacing, K.Goshima, N Tsuda, K Komori and T Sugaya , Internal workshop on green energy system and devices,P-43 (2107), 愛知県豊田市, 2017年11月,  
7
Pilaf プロセッサを実装した8bitSoCのLSIテスタを用いた動作解析, 増淵友一,吉田宗史(愛知工業大学),弘中哲夫(広島市立大学),五島敬史朗(愛知工業大学), 電子回路研究会報告 , 広島県呉市, 2017年10月, 電気学会 
8
シリコン発光増強を目的としたデバイス構造の検討, 杉下裕磨、犬飼圭祐、五島敬史郎, 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会  CPM2017-70, 長野県長野市, 2017年10月, 電子情報通信学会 
9
歪み補償を用いない多重積層量子ドットの結合状態, 五島敬史郎,犬飼圭裕, 津田紀生, 菅谷武芳, 第78回応用物理学会秋季学術講演会、8p-A414-1, 福岡県福岡市, 2017年09月, 応用物理学会 
10
小規模かつ省電力を目的とした8bitSoCのLSIテスタを用いた解析, 内田裕之, 山田明宏、弘中哲夫、五島敬史郎, 電子情報通信学会 2017総合大会 ポスターセッション ISSP-25, , 2017年03月,  
11
VSL法を用いた積層半導体量子ドットの光学利得計測, 五島敬史郎,犬飼圭祐、津田紀生, 天野健, レーザー学会学術講演会第37回年次大会,08pⅡ-2, 徳島県徳島市, 2017年01月, レーザ学会 
12
シリコン材料を発光源とした光通信回路の開発, 杉下裕磨、犬飼圭祐、五島敬史郎, 平成28年度電気学会電子回路研究会、ETC-16-074, 富山県富山市, 2016年10月, 電気学会 
13
Inter madiate band in multi sstacked InGaAsBand formation in multi stacked InGaAs quantum dots ”, K.Goshima, N.Tsuda, T. Sugaya,, Photovoltanic Science and Engineering Conference, 1-1-1e (21016) , シンガポール, 2016年10月,  
14
In0.4Ga0.6As/GaAs積層量子ドットにおけるキャリアの温度依存性, 犬飼圭裕, 五島敬史郎,津田紀生, 菅谷武芳, 平成28年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会,A4-4, 豊田高専, 2016年09月, 電子・情報関係学会 
15
シリコン発光における発光強度とELスペクトルの関係, 杉下優磨, 中山健太郎、五島敬史郎,, 平成28年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会, A4-3,, 豊田高専, 2016年09月, 電子・情報関係学会 
16
近接積層量子ドットにおけるキャリア再結合過程, 犬飼圭裕, 五島敬史郎,津田紀生, 菅谷武芳, 電子情報通信学会 2016年総合大会 ポスターセッション P-97, , 2016年03月,  
17
シリコンフォトダイオードにおけるシリコン高効率発行条件の考察,  杉下優磨, 中山健太郎、五島敬史郎,, 電子情報通信学会 2016年総合大会 ポスターセッション P-96, , 2016年03月,  
18
自己結合型レーザ距離センサのFPGAによる統計的処理, 吉松剛,五島敬史郎,青木道宏,津田紀生,山田 諄, 平成28年電気学会全国大会, 1-029, (於東北大学), , 2016年03月,  
19
音波の周波数に対するレーザマイクロホンの感度特性, 水嶋大輔,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, 平成28年電気学会全国大会, 3-047, (於東北大学), , 2016年03月,  
20
半導体レーザを用いたターゲットの厚さ・速度同時測定に関する研究, 道廣豊起,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, 平成28年電気学会全国大会, 3-020, (於東北大学), , 2016年03月,  
21
半導体レーザーを用いた対象物の厚さ・速度同時測定に関する研究, 道廣豊起,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, レーザー学会学術講演会第36回年次大会, E310pV05, (於名城大), , 2016年01月,  
22
半導体レーザーの自己結合効果を利用したレーザーマイクロホンの指向性, 水嶋大輔,五島敬史郎,津田紀生,山田諄, レーザー学会学術講演会第36回年次大会, E310aV02, (於名城大), , 2016年01月,  
23
シリコンフォトダイオードにおけるシリコン高効率発光条件の一考察,  杉下優磨, 五島敬史郎, 平成27年度レーザ学会中部支部若手研究発表会, No10, , 2015年12月,  
24
積層量子ドット中におけるキャリアの緩和過程, 犬飼圭裕, 五島敬史郎, 津田紀生,, 平成27年度レーザ学会中部支部若手研究発表会, No9, , 2015年12月,  
25
LSIテスター機を用いたデジタル集積回路の動作検証, 鈴木大晴、中野渡陽平、五島敬史郎, 江口一彦, 電気学会  電子回路研究会 ECT-15-070 (三重大学), , 2015年10月,  
26
歪み補償を用いない多重積層半導体量子ドットの電子構造, 五島敬史郎, 犬飼圭裕, 津田紀生, 菅谷武芳, 応用物理学会春季学術講演会第76回年次大会,14a-4D-10, , 2015年09月,  
27
積層量子ドット間距離の違いによる中間バンド形成の観察,  犬飼圭裕, 五島敬史郎,津田紀生, 菅谷武芳, 平成27年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会, O4-5, (於名古屋工業大学), , 2015年09月,  
28
シリコン発光源を用いたデジタル光通信,  杉下優磨, 五島敬史郎, 平成27年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会, K1-5, (於名古屋工業大学), , 2015年09月,  
29
多重積層半導体量子ドットの光学特性, 五島敬史郎, 犬飼圭裕, 津田紀生, 山田 諄, 菅谷武芳, レーザー学会学術講演会第35回年次大会, 11aX07, (於東海大), , 2015年01月,  
30
ASIC設計手法を用いたCPUの機能改善, 鈴木貴斗、江口一彦、  五島敬史郎、山田明宏, 電気学会  電子回路研究会 ECT-14-066 (秋田大学), , 2014年10月,  
31
“低負荷環境材料を用いた光通信システムに関する考察”, 五島 敬史郎、石川力也, 冨田尚吾, 2014電気学会関係 東海支部連合会 J1-4, , 2014年08月,  
32
“Electronic structures in multi stacked InGaAs quantum dots various barrier thicknesses”, K. Goshima,N. Tsuda,J. Yamada, K. Komori and T. Sugaya, International Symposium on Compound Semiconductor, Tu-P49 (2014), , 2014年07月,  
33
“ASIC設計手法を用いたプロセッサのビット幅拡張と並列処理による高速化“, 鈴木貴斗 五島敬史郎 江口一彦, 電子情報通信学会 2014年総合大会 学生ポスターセッション P-201 , , 2014年03月,  
34
レーザ発振特性によるレーザマイクロホンの音波検出の特性, 吉元裕哉, 五島敬史郎, 津田紀生, 山田 諄, 平成26年電気学会全国大会, EL31-C3 1-109, (於愛媛大), , 2014年03月,  
35
“ハーフメサ構造を用いた1.3um分布帰還形半導体量子ドットレーザの結合計算“, 五島敬史郎, 津田紀生, 山田諄, 小森和弘, 天野健, COMSOL CONFERENCE TOKYO (2013), P-10, , 2013年12月,  
36
“ハーフメサ構造を用いた1.3μm量子ドットDFBレーザの低閾値化”, 五島敬史郎, 津田紀生, 山田諄, 小森和弘, 天野健, 2013年電気学会関係東海支部連合会4K-7, , 2013年09月,  
37
レーザマイクロホン音波検出特性のスペクトラム依存性, 吉元裕哉, 五島敬史朗, 津田紀生, 山田 諄, 平成25年度電気関係学会東海支部連合大会講演論文集, H2-1, (於静岡大学), , 2013年09月,  
38
” Band formation in multi stacked InGaAs quantum dots with various inter-dot spacing”, K. Goshima,N. Tsuda,J. Yamada, K. Komori and T. Sugaya, International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures ,TuP-18 (2013), , 2013年07月,  
39
"Subband formation in multi stacked InGaAs quantum dots with different interdot spacing for high efficient solar cells", K. Goshima,N. Tsuda,J. Yamada, K. Komori and T. Sugaya, International conference on Nanotek & Expo J.Nanomed Nanotechol Vol 3, Isuue 9, PP 91, (2012), , 2012年12月,  
40
"1.3-um Quantum Dot DFB Laser with Half-Etching Mesa Structure", K.Goshima, N.Tsuda, J,Yamada, T. Sugaya, K. Komori andT. Amano, International Micro-processes and Nanotechnology Conference31B-2-1 (2012), , 2012年11月,  
41
ハーフメサ構造を用いた1.3um量子ドットDFBレーザの発振と結合係数計算, 五島敬史郎, 津田紀生, 山田諄, 小森和弘, 天野健, 2012年電気学会関係東海支部連合会3N-7, , 2012年09月,  
42
多重積層InGaAs半導体量子ドットの発行特性評価, 五島敬史郎, 中川清, 中西俊介, 小森和弘, 菅谷武芳,, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, , 2011年09月,  
43
シリコン発光ダイオードによる光通信, 川上陽平,五島敬史郎岡本研正, 2011年 電気関係学会関西連合大会講演, , 2011年02月,  
44
LED光スポット走査法によるSi太陽電池の品質診断, 江崎暢宏,荻田智加,五島敬史郎,岡本研正(香川大), 2010年 電子情報通信学会総合大会講演, , 2010年11月,  
45
FBG微小センサにおける反射・透過スペクトル形状の影響, 中田哲史, 五島敬史郎,中川清,, 2010年 電気学会四国支部連合大会, , 2010年09月,  
46
多重積層InGaAs半導体量子ドットの発光特性, 五島敬史郎,忽那大輔,中川清,中西俊介,菅谷武芳2, 2010年 応用物理学会 中四国支部大会, , 2010年07月,  
47
Degenerate Four-Wave Mixing in GaNAs/GaAs Multiple Quantum Wells", A Kittaka, K Fuji, M Shiraga, M Wada, K Goshima, N Tsurumach, S Nakanishi, H Akiyama, S Koshiba and H Itoh, InternationalSymposium onCompoundSemiconductor, Fr-P59 (2010), , 2010年06月,  
48
" Optical communication using Si light-emitting diode and InGaAs photodiode", Y.Kawakami,K Goshima,K. Okamoto ,, International Symposium on Compound Semiconductor, Fr-P83 (2010), , 2010年06月,  
49
"1.3μm InAs/GaAs quantum dots on silicon wafer fabricated with DVS-BCB bonding", M.Okano, T.Amano, T.Sugaya, K.Gosima, N.Yamamoto, K.Komori and M,Mori, International conference on NanoPhotonics, P-B08 (2010), , 2010年04月,  
50
"1.3-μm Quantum Dot DFB Laser with Half-Etching mesa and high density QD" , T.Amano, K.Goshima, T.Sugaya, K.Komori, International Semiconductor Laser Conference, P-19 (2008), , 2009年09月,  
51
1.3um帯InAs/GaAs DFB量子ドットレーザ, 五島敬史郎, 天野健, 菅谷武義, 小森和弘, 2008年 秋季第68回応用物理学会学術講演会,中部大学, , 2008年09月,  
52
"Formation and control of 2-qubits exciton state in a coupled quantum dots.", K.Goshima,K. Komori,T. Takagahara, SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, I-9-5, pp 1128-1129, (2007), , 2008年09月,  
53
"Electric-field control of coupled states in weakly coupled quantum dots", I.Morohashi,K Komori, K Goshima, T Sugaya and S Yamauchi, SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, E-1-5, pp 108-109, (2007), , 2008年09月,  
54
"Measurement of Two-Qubit States Consisting of Two Different Excitons in Coupled Quantum Dots", K.Goshima, K. Komori,T. Takagahara, International Conference of Quantum Information, JWC41,(2007), , 2008年07月,  
55
"Cascade optical excitation of an exciton-molecule in a coupled-quantum-dots", K.Goshima, K. Komori, T. Takagahara, Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors, TuA-2, pp68, (2007), , 2008年07月,  
56
"Exciton Rabi Oscillation in InAs/GaAs Coupled Quantum Dots", K. Goshima, K. Komori, S.Yamauchi, I. Morohashi, T. Sugaya, SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, A-2-4, pp 26-27, (2006), , 2007年09月,  
57
"Two exciton correlation in a coupled quantum dots", K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Morohashi, A. Shikanai, T. Sugaya,, Quantum Electronics and laser science conference, QThH5, (2006), , 2007年05月,  
58
結合量子ドット中の励起子分子を用いた2qubit量子ゲート, 五島敬史郎, 小森和弘, 鹿内 周, 山内掌吾 ,諸橋 功,, 2007年 秋季第67回応用物理学会学術講演会, 北海学園大学, , 2007年03月,  
59
"Quantum logic gates using excitons in coupled quantum dots", K. Komori, T. Sugaya, K. Furuya, M. Mori, M. Ogura, T. Yasuhira, N. Tsurumachi, I. Morohashi,K. Goshima, S. Yamauchi, T. Okada,, National Institute for Materials Science photonic processes in semiconductor nanostructures, 2006/3/9(招待講演), , 2007年03月,  
60
"Pulse Area Control of the Exciton Rabi Oscillation in InAs/GaAs Single Quantum Dot", K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Morohashi, A. Shikanai, T. Sugaya, SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, G-3-2, (2005), , 2006年09月,  
61
"Measurement of Two-Qubit States Consisting of Two Different Excitons in Coupled Quantum Dots", K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Moroahshi, A. Shikanai, T. Sugaya, IQEC and CLEO-PR 2005,JTuH4-7, (2005), , 2006年07月,  
62
" Interdot Correlation in Single Pair of Coupled Quantum Dots", S. Yamauchi, K. Komori, T. Sugaya, I. Morohashi, K. Goshima, IQEC and CLEO-PR JTuH4-4, (2005), , 2006年07月,  
63
結合量子ドット中の2つの励起子間相関, 五島敬史郎, 小森和弘, 鹿内 周, 山内掌吾 ,諸橋 功, , 2006年 春季第53回応用物理学会学術講演会, , , 2006年03月,  
64
"Electric field Dependence of Photo-luminescence in Coupled Quantum Dots", I. Morohashi, S. Yamauchi, A. Shikanai, K. Goshima, T. Sugaya, K. Komori,, International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals P-32、pp53, (2005), , 2006年02月,  
65
"Carrier correlations in single pair of coupled quantum dots", S. Yamauchi, K. Komori, T. Sugaya, I. Morohashi, K. Goshima,, Solid State Devices and Materials, G-9-4, pp900-901, (2004), , 2005年09月,  
66
"Observation of bonding states in single pair of coupled quantum dots using micro-spectroscopy", K. Goshima, K. Komori, S. Yamauchi, I. Moroahshi, A. Shikanai, T. Sugaya,, Solid State Devices and Materials, P9-2, pp614-615, (2004), , 2005年09月,  
67
"Carrier correlations in single pair of coupled quantum dots" , S. Yamauchi, K. Komori, T. Sugaya, I. Morohashi, K. Goshima,, Solid State Devices and Materials, G-9-4, pp900-901, (2004), , 2005年09月,  
68
結合量子ドット中の異種励起子による2-qubit状態の観測, 五島敬史郎, 小森和弘, 鹿内 周, 山内掌吾 ,諸橋 功, 2005年 秋季第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, , 2005年09月,  
69
単一の結合量子ドットのキャリア相関(2), 五島敬史郎,山内掌吾 ,諸橋 功,鹿内 周, 小森和弘, 2005年 春季第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, , 2005年03月,  
70
InAs/GaAs 単一量子ドットのラビ振動のパルス面積制御, 五島敬史郎,山内掌吾 ,諸橋 功,鹿内 周, 小森和弘, 2005年 春季第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, , 2005年03月,  
71
InAs/GaAs単一量子ドットのラビ振動の制御, 五島敬史郎, 小森和弘, 山内掌吾, 鹿内周, 諸橋功, 岡田工,, 第11回量子情報技術研究会 (QIT11)、京都大学, , 2004年12月,  
72
"Coherent control of exiton in a single quantum dot using a high-resolution Michelson interferometer", T. Okada,K. Komori,,K. Goshima, S.Yamauchi, T.Sugaya, O. Yamazaki, T. Hattori, Solid State Devices and Materials, E-2-2, pp106-107, (2003), , 2004年09月,  
73
一対のInAs結合量子ドットの顕微分光(結合準位の発光特性), 五島敬史郎, 山内掌吾, 諸橋功, 小森和弘,, 2004年秋季第65回 応用物理学会秋季大会、東北学院大学、, , 2004年09月,  
74
"Excitation density dependence on photoluminescence properties of Single InAs Quantum Dot", K. Goshima, K. Komori, T.Okada S.Yamauchi,, CREST&QNN'03 Joint International Workshop, MP-5, pp33-34, (2003), , 2004年07月,  
75
"Micro-spectroscopy of a single quantum dot using a high-resolution Michelson interferometer" , T. Okada, K. Komori, K. Goshima, S.Yamauchi, T.Sugaya,, CREST&QNN'03Joint International Workshop, MP-6, pp35-36, (2003), , 2004年07月,  
76
"Photoluminescence of InAs/GaAs double quantum dots grown by MBE with Indium-Flush method" , S. Yamauchi, K. Komori, T. Sugaya, K. Goshima, CREST&QNN'03Joint International Workshop, MP-2, pp27-28,(2003) , , 2004年07月,  
77
InAs結合量子ドットの顕微分光(PLE特性), 五島敬史郎, 山内掌吾, 諸橋功 小森和弘, 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, , 2004年03月,  
78
"Micro-spectroscopy of crescent-shaped quantum wire", T.Okada, K.Komori, K.Goshima, X.L.Wang, M.Ogura,, Internationalworkshop on QuantumNonplanarNanostructures &Nanoelectronics(QNN02), TuP-17,pp161-162, (2002) , , 2003年07月,  
79
"InAs単一量子ドットの顕微分光(1) PLE特性", 五島敬史郎, 小森和弘, 岡田工, 山内掌吾, 菅谷武芳,, 2003年春季 第50回応用物理学関係連合講演会, , 2003年03月,  

 

外部資金導入
No.タイトル, 提供機関, 制度名, 研究期間, 代表者 
1
近接低歪み多重積層構造を適用した量子ドットレーザの高効率化, 学術振興会, ,  2015年 - 2017年,  
2
サブバンド準位を用いた高効率量子ドットレーザの開発, 学術振興会, ,  2011年 - 2012年,  
3
半導体量子ドットのトンネル伝導を利用した高効率太陽電池デバイスの開発, 旭硝子財団, ,  2010年 - 2011年,  

 

連携可能な研究テーマ
No.タイトル, 年月 
1
光通信関係,  2011年04月01日 - 現在 
2
半導体光デバイス,  2011年04月01日 - 現在 
3
量子光学,  2011年04月01日 - 現在